技术编号:6847991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体激光器领域,涉及垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计。背景技术垂直腔面发射半导体激光器是当前光电子领域最活跃的研究课题之一,与边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器件具有较小的远场发散角、圆形光斑、易于单纵模激射,以及易于二维光集成等优势,因此在光通讯、光互连以及光集成等方面有着广泛的应用前景,引起了人们的极大兴趣。垂直外腔面发射半导体激光器则是垂直腔面发射半导体激光器的新兴代表,以其输出光功率高、光束质量好和易于二维列阵的特点在激光显...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。