技术编号:6848344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提取硅基集成电路在片元器件等效电路模型参数的方法,特别是在片螺旋电感的9元非对称等效电路模型参数的提取方法。背景技术目前国际上成熟地硅基在片电感模型参数的计算和提取方法中,包括物理模型计算法和在测试数据基础上的参数提取法。求解电感模型参数的一种方法是物理模型法,请参照Jenei S,et.al,“Physics-basedclosed-form inductance expression for compact modeling of int...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。