技术编号:6848359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路工艺,具体涉及一种在CMOS高压工艺中保护低压区场氧化硅层的方法。背景技术 随着CMOS电路集成度的不断提高,在同一块芯片上往往集成了多种工作于不同电压的电路和器件,较常见的有把低压(1.0V到3.3V)、中压(2.5V到5V)和高压(12V到40V)等电路集成于同一芯片的LCDDriver/Controller和各种含嵌入式存储器的芯片等,为此,需要在标准的CMOS工艺流程中嵌入中、高压工艺模块。其基本工艺流程是在标准CMOS器件(核心...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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