技术编号:6848372
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于模拟或射频集成电路的多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件。本发明还涉及该器件的制作方法。背景技术 目前多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP)电容和高阻多晶硅(HRPoly)是模拟或射频集成电路中经常同时使用的元件。这两种元件的常规制作方法较为繁琐,采用三层多晶硅分别用来作PIP的上、下极板和高阻多晶硅,同时需要四次光刻和三次离子注入来进行PIP和HRPoly的刻蚀与掺杂。由于该结构复杂,而且工艺步骤多,不仅造成工艺成本过高,还对成品率的提...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。