技术编号：6848381
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶片的清洗方法，尤其涉及为解决晶片中心清洗不干净的新型清洗方法。背景技术 众所周知，在半导体晶片的制造过程中，如等离子体蚀刻，不可避免地会有一些残留物质和微粒遗留在晶片的表面上，这些杂质在连续的制造操作过程中很容易造成金属化特征间的不适当的交互作用等瑕疵。在一些案例中，这种瑕疵可能导致晶片上的装置变得无法运作，导致晶片缺陷率上升，造成成本浪费，因此，当易于在晶片表面上遗留残余物的制造工序完成之后，必须适当并有效的清洗晶片。经过蚀刻工序后，清...
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