技术编号:6848483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于有机发光二极管(OLEDs),具体涉及一种高功函数透明导电氧化物薄膜电极及其应用反应直流磁控溅射法制备高功函数铂、钨共掺氧化铟(In2O3Pt,W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极的方法。背景技术 有机电致发光器件(OLEDs)由于具有高效率、高亮度、宽视角、低功耗、自发光、响应速度快等特点,在许多领域具有潜在的应用,因此得到了人们广泛的关注。而OLEDs对阴、阳透明电极的功函数有不同的要求。作为阴极的电极材料要具有低的表面功函数...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。