技术编号:6848508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及。背景技术 在1微米以下的半导体生产工艺中一般都会使用侧墙的结构,侧墙一般用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。在一般的0.15微米以上的D形貌的侧墙生产工艺大致如图1所示,首先是用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,以下简称CVD)的方法在硅表面生长一层二氧化硅薄膜,然后再用CVD方法在二氧化硅薄膜上面生长一层氮化硅薄膜,再进行侧墙刻蚀。成长的一层二氧化硅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。