技术编号：6848623
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺中形成铝特征图案的方法，具体涉及利用化学机械研磨配合蚀刻制程形成金属铝特征图案的方法。背景技术 在半导体制造工艺中，常规的铝图案定义都采用反应性离子蚀刻(RIE)来蚀刻铝，这种方法很容易使铝的反射率下降，并且容易出现集成电路图案中氧化物层凹陷以及残余物缺陷。用反应性离子蚀刻形成铝特征图案是一种成熟的工艺，但是其中同样存在许多缺点，本领域技术人员应该能够了解，例如在进行深蚀刻(etchback)以去除铝表面的电介质时，很容易在电介质层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。