技术编号:6848641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料,尤其是涉及一种。背景技术半导体发光器件具有广泛的用途。例如半导体发光二极管,可以应用于仪器工作状态指示,交通信号灯,大屏幕显示,照明等等。半导体发光器件,根据其所用衬底的电导率以及外延层设计的不同,具有同侧电极和上下电极两种结构。上下电极结构的发光器件,具有封装简单,可靠性较高等优点。图1为一种典型的上下电极结构半导体发光器件的剖面结构示意图。图中1为半导体叠层,其中依次包括一个P型层、一个发光层、一个N型层;2为N型电极;3为P型电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。