技术编号：6848656
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于微电子学中的制造工艺。背景技术 存储器主要以速度、功耗、价格、循环寿命和非挥发等指标衡量其水平。目前已有多种半导体存储技术，包括常规的易失性存储技术，如静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)，和非易失性存储技术，如电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH)。虽然这些技术已经可以满足一系列的应用，但目前还没有一种理想的，基于硅材料的半导体工艺，可以用来大量生产出具DRAM的高容量低成本、SRAM的高速...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。