技术编号：6849078
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备。更具体而言，涉及一种Si基Ge量子点薄膜的制备方法和技术。背景技术 半导体低维结构由于量子限制效应从而使其电学性质和光学性质发生很大的变化。而三维受限的量子点(QD)结构由于对其中的载流子(如电子、空穴和激子)有强量子限制作用则更引人瞩目。量子点结构材料在光电器件、单电子器件等方面具有极为广阔的应用前景。通过控制量子点的形状、尺寸和结构，可有效实现对其能隙宽度、激子束缚能大小等电子行态的调节。体材料的硅是间接带隙的半...
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