技术编号:6849254
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能电池,尤其涉及一种选择性发射极的晶体硅太阳能电池。 背景技术晶体硅太阳能电池是目前使用最为广泛的太阳电池,占据了全世界太阳电池市场的主要份额,在过去20年里有了很大发展,许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。目前太阳能电池技术的近期研发目标集中在制造成本的降低和效率的提升。选择性发射极结构是提高晶体硅太阳电池转换效率的有效手段之一。选择性发射极结构有两个特征1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区;幻在其他区域形成低掺杂浅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。