技术编号:6849381
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,具体说是关于锗硅肖特基二极管及其制作方法。背景技术 肖特基二极管因其具有多数载流子工作、响应速度快和无少子积累等特征而被广泛的用于高频、高速、探测等方面。在本发明做出前,传统的锗硅肖特基二极管自下而上依次有欧姆接触电极,硅衬底层,锗硅外延层,开有窗口的氮化硅层,在氮化硅窗口中置有镍硅化合物层,氮化硅窗口上复盖铝电极,这种结构的锗硅肖特基二极管的锗硅与氮化硅接触面积大,界面缺陷多,导致器件漏电流大。制作过程中,采用先在硅衬底上生长锗硅层...
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