技术编号:6849385
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包含在半导体设备中的升压电路,尤其是涉及一种用作动态随机存取存储器(DRAM)的内部电源的升压电路,该动态随机存取存储器使用在通过1.8V的外部电源及其驱动方法来驱动的便携装置。背景技术 通常,所描述类型的一个升压电路(此后将称作“一个普通激励电路”)包括激励电容,开关,和一个电源。该普通激励电路具有大约50%的电流(电荷)效率。为了实现一种低功耗,在日本的未审查专利公开Tokkai No.Hei9-231,752或JP-A 9-231752...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。