技术编号：6849610
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有互连。背景技术 常规半导体器件使用互连，该互连是通过在绝缘间隔层中形成互连形成凹槽、并通过用诸如铜(Cu)层的金属层填充互连形成凹槽来构造的(例如，参见日本未决专利公开No.2001-176965)。图11是常规的半导体器件的示例性构造的截面结构视图。如图11中所示，半导体器件具有形成在半导体衬底100上的半导体元件，诸如晶体管、电阻器、电容器等，所有这些都未示出，并且在其上形成用于终止蚀刻的停止绝缘层102，在其间放置绝缘层。在停止绝缘...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。