技术编号:6849717
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造。尤其是,本发明教导了一种新的方法,其用于在包括至少一个低K介电层的半导体晶片中形成双金属镶嵌结构。背景技术集成电路使用介电层来绝缘半导体结构的不同层上的导线,介电层通常由二氧化硅(SiO2)形成。由于半导体电路变得更加快速和小型化,所以工作频率加快,半导体器件内的导线之间的距离减小。这增大了电路的耦合电容的等级,其缺点是使半导体器件的运行变慢。因而,用能有效绝缘导线的介电层来对抗这种增大的耦合电容等级就很重要了。通常,集成电路中的耦合...
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