技术编号：6849728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，特别是，本发明旨在解决形成在绝缘表面上的薄膜型绝缘栅场效应晶体管，该绝缘表面既可以是如玻璃的绝缘衬底的表面，也可以是如形成在硅圆片上的氧化硅的绝缘薄膜。具体地说，本发明可用于制造在玻璃衬底上形成的TFT(薄膜晶体管)，该玻璃的转变温度(也称为畸变点或畸变温度)为750℃或更低。这种根据本发明制造的半导体器件可用于有源阵列器件，例如液晶显示或图象传感器的驱动电路，或用于三维集成电路。背景技术 众所周知，TFT用以驱动有源...
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