技术编号:6849730
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体器件,更特别地涉及横向场效应晶体管(FET)结构及制造方法。背景技术 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种普通类型的集成电路器件。MOSFET器件包括源区、漏区、在源区与漏区之间延伸的通道区,以及在通道区上提供的栅极。栅极包括布置在通道区之上并通过薄的介电层与通道区隔开的导电栅结构。横向MOSFET器件经常用于高电压(即大于200伏特)应用,例如AC/DC电压转换中的离线开关调节器。横向MOSFET器件典型地包括由中间区...
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