技术编号：6849786
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。联邦政府赞助的研究这项发明是在政府支持下按照海军研究合同第N00014-96-1-0765、N00014-98-1-0384和N00014-98-1-0654号进行的。政府对这项发明可以有某种权利。本发明的这项发明涉及微电子器件和制造方法，更具体地说涉及氮化镓半导体器件及其制造方法。本发明的现有技术目前正在对氮化镓进行广泛地微电子器件研究，其中包括但不限于晶体管、场致发射体和光电子器件。人们将理解，如同在本文中所用的那样，氮化镓也包括氮化镓的合金，例如氮化...
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