技术编号：6849902
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种半导体装置，特别是关于一种制造晶体管的方法及其结构。背景技术 半导体装置使用于许多电子应用中，例如个人计算机、行动电话、数字相机及其它电子装置。晶体管是大量用于半导体装置中的组件。例如，在单一集成电路(IC)上有百万个晶体管。常用于半导体装置制造的晶体管形式是金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)。MOSFET装置的栅极介电质典型包含二氧化硅，其典型的介电常数为3.9。然而，当装置尺寸缩小时，由于漏电流使得装置的效能衰退，因而使用二氧化...
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