技术编号：6849932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电光器件，典型地是一种通过在衬底上制作半导体元件(一种使用半导体薄膜的元件)而形成的电致发光(EL)显示器，并且涉及将此电光器件作为显示器(又称作显示部分)的电子设备(电子装置)。特别地，本发明涉及电光器件的制作方法。背景技术 近年来，在衬底上形成TFT的技术得到了广泛地发展，且有源矩阵型显示器应用的开发也正在取得进步。特别是利用多晶硅膜的TFT较之利用传统非晶硅膜的TFT具有较高的电场效应迁移率(也称作是迁移率)，因此可以高速运行。结果，可...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。