技术编号:6849985
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 利用铁电体特有的自然极化的非易失性存储器元件(铁电体存储器元件),以其高速写入/读出、低电压工作等特征,作为不仅可替换现有非易失性存储器且可替换SRAM(静态RAM)或DRAM等几乎所有的存储器的最终存储器而受到了关注。作为铁电体材料,可举出很多的例子,但其中以锆钛酸铅(Pb(Zr,Ti)O3,下面简记为PZT)为代表,钙钛矿型氧化物或SrBi2Ta2O9等铋层状化合物显示出了极其优良的铁电特性,而备受瞩目。一般,将上述的氧化物材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。