技术编号:6850224
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 在例如日本未决专利申请1993-90293中描述了制造半导体器件的常规方法。在该文件中公开的制造方法包括在MOS晶体管的栅极电极和源极/漏极电极上形成NiSi制成的单硅化物层,用来降低芯片的寄生电阻。发明内容但是,现在已经发现在采用上述制造方法的情况下,由于后续工艺中的热处理,NiSi层可以转变为二硅化物。一旦NiSi层转变为二硅化物,MOS晶体管的寄生电阻易于增加。考虑到前述问题,以如下目的构思了本发明,即增加半导体器件中形成的Ni...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。