技术编号:6850432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用氮化物化合物半导体(InxAlyGa1-x-yN,其中0≤X,0≤Y,X+Y<1)的发光氮化物半导体器件。背景技术 图11中示出了在Japanese Patent Laying-Open(日本专利公开)No.08-274372中描述的传统发光氮化物半导体器件的结构。在该图中,这种传统的发光器件具有蓝宝石衬底101,在其上淀积了500厚的Al0.1Ga0.83In0.07N缓冲层102。在缓冲层102上形成了掺硅GaN构成的n+层103,其厚...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。