技术编号:6850602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及具有电气分离的顶栅和底栅的自对准双栅金属氧化物半导体(DG-MOSFET)。另外,本发明中,顶栅和底栅可以由不同材料形成。背景技术 双栅金属氧化物半导体场效应晶体管(DG-MOSFET)是一种具有控制沟道中的载流子的顶栅和底栅的MOSFET。双栅MOSFET具有优于常规单栅MOSFET的几个优点较高的跨导,低寄生电容,避免掺杂剂波动效应,具有优异的短沟道特性。另外,可以得到沟道长度低达20nm且沟道区中不必掺杂的良好短沟道特性。于是可以防止隧...
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