技术编号:6850605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制造方法,涉及在半导体衬底的薄膜化中的半导体衬底背面的集电极结构及其制造方法。背景技术 在控制超过数百V电压的高耐压半导体器件的领域中,由于它所处理的电流也很大,因此,要求抑制发热,即抑制损耗的器件特性。还有,作为控制那些电压·电流的栅极的驱动方式,希望是驱动电路小,在驱动电路处的损耗小的电压驱动元件。近年来,由于上述的理由,作为在该领域能够用电压驱动、损耗小的器件,绝缘栅双极晶体管,即IGBT正成为主流。该IGBT的结构在降低MO...
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