技术编号:6850720
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请本申请享有在1999年12月2日提出的,申请号为60/168,495的临时专利申请的优先权。背景技术发明领域本发明涉及在极性表面上生长的发光化合物半导体晶体,具体地说涉及减少或消除其自然产生的极化感应电荷以改善发射效率。相关技术的描述大部份半导体发光器具有一双异质结构的结构,其包括一在两包覆层之间生长的活化或发光层。双异质结构的各层由一种以上材料制成。一包覆层为n型,即表示其含有超量自由电子,而另一包覆层为p型,即表示其含有超量电洞。通常,包覆层比...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。