技术编号：6850738
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种技术，以抑制在用于半导体器件的非单晶膜的硅膜表面上的异常生长，也就是，在多晶硅膜和非晶硅膜的表面上硅的异常生长。更特别地，本发明涉及一种技术，其有效地用于一种单晶片的处理，这种单晶片处理包括形成多晶硅膜的步骤。背景技术 在本发明的发明人对本发明进行研制期间，研究了以下所述的技术，其要点将如下表示。在半导体器件的制造过程中，将硅膜(多晶硅膜或非晶硅膜)用作MOS晶体管的栅极材料和闪存等的浮动电极材料。例如，在洁净晶片的硅表面通过热氧化形成由Si...
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