技术编号：6850906
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及处理基片的装置和方法，具体地说，涉及一种蚀刻基片的顶部边缘和底部的装置和方法。背景技术 在半导体加工工艺中，要向用作半导体基片的晶片上沉积很多层，比如多晶硅、氧化物、氮化物和金属。在层上涂覆光刻胶层。将使用曝光工艺画在光掩模上的图案转印到光刻胶层。进行蚀刻工艺以在晶片上形成所需的图案。在进行上述工艺的晶片顶部边缘或者底部上残留有杂质，比如各种层或光刻胶。如果移动被固定着的晶片的边缘，杂质会从晶片脱离而分散。分散的物质污染装置，且在后续工艺中成为粒...
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