技术编号:6850946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化物基发光器件和一种制造该器件的方法,更具体地说,本发明涉及一种具有一为提高发光效率而设计的电极结构的氮化物基发光器件和一种制造该器件的方法。背景技术 n型电极和p型电极之间的欧姆接触在制作发光器件如采用氮化镓(GaN)半导体的发光二极管(LED)或激光二极管(LD)中非常重要。特别是p型覆层和电极之间的欧姆接触结构对氮化物基发光器件的性能而言是至关重要的。GaN基的LED分为顶发射(top-emitting)LED(TLED)和倒装晶片(...
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