技术编号:6850998
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术发明领域本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs),更具体说涉及一种具有部分隔离的源/漏结的场效应晶体管结构,及其制造方法。 背景技术 在半导体行业中,多年来就存在着以更高频率工作时在单个衬底上集成更多功能的趋势。总的来说,半导体制造和数字系统设计和结构方面的进步使得这种更高的工作频率成为可能。一般来说,使工作频率提高的半导体制造工艺的进步是与电路元件的电特性的改进相联系的,这些电路元件例如是晶体管、电容器和用于连接不同电路元件的...
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