技术编号:6851210
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,特别是涉及利用RESURF效应的半导体装置的性能的改善。背景技术 提倡采用一种应用了被称为RESURF(Reduced SURface Field)效应的电场缓和现象的微细的n型层和p型层的重复结构(以下称pn重复结构)的元件,例如USP6,040,600等,来代替现有型的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的同样的n型漂移层。在该pn重复结构中,由于n型层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。