技术编号:6851299
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明为一有关于集成电路设计,特别是以金属硅化物制程改进静电防护电路的效能的方法。背景技术 在金属氧化物半导体晶体管(metal-oxide-semiconductor,MOS)中,栅极氧化层是最容易受到外力损害的部分。只要与稍高于供应电压的压源接触到,栅极氧化层即遭到破坏。目前集成电路常使用的供应电压为5伏特、3.3伏特或更低。而一般环境下的静电压可高达数千甚至数万伏特以上。即使静电压只会引起极小的电流,仍会对栅极氧化层造成破坏。因此,当静电荷产生的时候...
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