技术编号：6851320
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造。更具体，本发明涉及用于去除氧化物膜的刻蚀液及其制备方法，以及使用该刻蚀液制造半导体器件的方法。背景技术 半导体器件制造涉及淀积、光刻、刻蚀离子注入等一系列工序。通过这些工序，在晶片上形成各种薄膜如氧化物膜、氮化膜、多晶硅膜以及金属膜。构图这些薄膜，完成器件的希望形状。在半导体器件制造工序过程中，要求能用高刻蚀选择率除去待刻蚀的薄膜材料的刻蚀液通过选择性湿法刻蚀除去靶膜。目前可行的半导体器件制造工艺主要使用如缓冲氧化物刻蚀剂(BOE...
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