技术编号：6851748
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料与器件，特别是指一种III族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法。III族氮化物单/多层异质应变薄膜涉及以下内容按材料分包括以氮化镓，铟镓氮，铝镓氮为代表的III族氮化物；按生长方法分包括以金属有机物化学气相沉积，分子束外延，氢化物气相外延等为代表的外延生长；按外延材料种类分包括以禁带宽度不同，晶格不匹配材料为代表的异质外延。按器件功能分则包括发光二极管、激光二极管等发光器件等等。III族氮化物是一种带宽可调范围大的直接带隙半导体材料，...
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