技术编号:6851763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及一种提高载子迁移率(Carrier Mobility)的。背景技术 金属氧化半导体晶体管(Metal-Oxide Semiconductor Transistor;MOS)夹着其耗电量非常小,并且适合高密度的集成制造等诸多优点,为现今半导体工艺中,最重要而且应用最广泛的一种基本的电子元件。随着半导体的集成度(Integration)的提升,金属氧化半导体晶体管的尺寸亦随之缩小。然而,其尺寸缩减有其极限,因此,如何利用其它的方法,例...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。