技术编号：6851765
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过单边读取架构识别程序化和抹除存储单元中的逻辑信息的方法，特别是涉及通过单边读取架构识别热空穴注入氮化物电子储存层以程序化(PHINES)的存储单元的识别逻辑信息的方法。背景技术 非挥发性存储器具有当电源移除时，所储存的信息不会遗失的优点，现今已广泛被使用。非挥发性半导体存储器，比如只读存储器(read only memory，ROM)、可程序化只读存储器(programmable read only memory，PROM)、可抹除可程序化只...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。