技术编号：6851820
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。总体来讲，本发明涉及图像传感器。本发明尤其涉及通过配置降低暗电流的图像传感器，以及制造降低暗电流的图像传感器的方法。背景技术 某些类型的图像传感器采用光电二极管收集入射光，并将其转换为能够进行图像处理的电荷。例子包括电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)，分别见图1和图2。图1中的CCD传感器通常是由一个光探测器阵列构成的，所述光探测器电连接至起着模拟移位寄存器作用的垂直CCD。垂直CCD为水平CCD供电，水...
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