技术编号：6851821
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及面发射(surface emitting)半导体激光器，其制造方法，和电子器件的制造方法。背景技术 近年来，作为光通讯的激光器，人们已经注意到VCSEL(垂直腔面发射激光器)。这样的面发射激光器具有一种结构，其中有源层的上和下表面夹在n型反射层和p型反射层之间。一般地，由半导体多层膜制成的DBR(分布式布拉格反射器)用于每个n型反射层和p型反射层。一般地，所谓柱型台结构被用作面发射激光器的结构(例如，请参考专利文件1JP-A-2001-21090...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。