技术编号:6851942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种制造半导体器件的方法,且更具体地关于一种在半导体器件中形成多栅电介质层的方法。背景技术 最近,对片上系统(SOC)进行了积极研究,在该片上系统中将具有不同功能的各种装置集成到一个芯片中。即,需要用于施加高电压的装置的厚栅电介质层以改良可靠性,且需要用于对操作速度敏感的装置的薄栅电介质层。同样,已研究双多晶硅栅结构,以改良该装置操作速度,并获得N沟道金属氧化物半导体场效晶体管(NMOSFET)及P沟道金属氧化物半导体场效晶体管(PMOSFET...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。