技术编号:6851944
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种用于制造半导体器件的方法;且更具体而言,关于一种用以在半导体器件中形成着落塞接触(landing plug contact)的方法。背景技术 当半导体器件已高度集成时,半导体器件之器件元件应在有限区域内被形成。因此,器件元件如晶体管与电容器之尺寸亦已被缩小。特别是,在半导体存储器件如动态随机存取存储器件(DRAM)中,此减小设计法则造成单元区(cell region)中所形成之电路之线宽缩减至0.1μm以下,甚至需要线宽低于70nm。第1图为...
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