技术编号:6852010
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别是指一种高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法。在徘徊了二十多年之后,氮化镓(GaN)基半导体薄膜的生长于二十世纪九十年代初有了飞速的发展(见文献F.A.Ponce and D.P.Bour,Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices,Nature,386(1997)351;Shuji Nakamura,Gerhard Fasol...
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