技术编号：6852027
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体部件的制法。本发明尤其是涉及具有一只开关晶体管和一只存储电容器的非易失型存储器单元的制法，该存储电容器极片包含铂类金属，并且再极片间用铁电或仲电材料作为介质。传统的微电子半导体存储器部件(DRAM)主要由一只选择晶体管或开关晶体管和一只存储电容器构成，其中在两电容器极片之间插入介电材料。通常多半用具有介电常数最大约为8的氧化物层或氮化物层作介质。为了缩小存储电容器以及为了制造非易失型存储器，需要具有显著高的介电常数的“新型的”电容器材料(铁...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。