技术编号:6852092
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一般地本发明涉及一种半导体器件,更具体地说涉及一种在半导体器件中形成氧化物区的技术。背景技术 在半导体器件中形成绝缘区(通常称为氧化物区,因为氧化物最常用作绝缘材料)的方法是十分公知的。这些氧化物区一般例如用于在金属氧化物半导体(MOS)器件和在半导体衬底上的器件区之间提供电隔离以及物理隔离。普遍用于提供这种隔离的方法一般包括形成硅的局部氧化区(LOCOS)。常规的LOCOS处理基本涉及在硅衬底的无掩模的非活性区(通常被称为场氧化物(FOX)区)中的凹进或...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。