技术编号:6852216
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的模板的半导体结构,尤其涉及一种包含在拉伸应变绝缘体上SiGe(SGOI)上的应变Si层的异质结构。本发明还提供了一种形成本发明的半导体异质结构的方法。背景技术短语“应变硅互补金属氧化物半导体(CMOS)”主要指的是在具有弛豫硅-锗(SiGe)合金层上的薄应变硅(应变Si)层的衬底上制造的CMOS器件。应变Si层中电子和空穴的迁移率已经显示出比体式硅层中更高,且具有应变Si沟道的M...
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