技术编号:6852359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到用来制造半导体器件的薄膜,特别是涉及到氮化物膜和氧化物膜。背景技术 为了改善互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中的驱动电流,应力膜已经被用作隔垫或线条中间(MOL)的衬里(也称为预置金属介质(PMD)衬里)。导致高度拉伸或高度压缩的氮化物膜的淀积方法是众所周知的(例如快速热化学气相淀积(RTCVD)、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)、采用诸如硅烷(SiH4)、二氯硅烷(DCS)、乙硅烷、六氯乙硅烷、二叔丁基氨基硅烷(BTBAS)、以...
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