技术编号:6852374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括多-沟道鳍形场效应晶体管(FinFET)的半导体器件及其制造方法。更具体,本发明涉及在半导体衬底的单元区和/或外围电路区中包括多沟道FinFET的半导体器件及其制造方法。背景技术 为了增加半导体器件的性能和减小制造成本,半导体器件的集成度必须不断地增加。增加半导体器件的集成度需要用于减小半导体器件的特征尺寸的显影技术。在常规半导体制造工艺中,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的沟道长度被减小,以增加半导体器件的工作速度和集成度。...
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