技术编号:6852422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM),更具体地,涉及在其两端具有弯曲凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的MRAM单元、以及其形成时使用的光掩模。背景技术 MRAM器件作为非易失性存储器已经被广泛应用,它可以工作在低电压和高速度的条件下。在MRAM器件的单元中,数据存储在磁电阻的磁性隧道结(MTJ)结构中。该MTJ结构包括第一和第二铁磁层以及插入在它们之间的隧穿绝缘层。被称作自由层的第一铁磁层的磁极化可以被穿过MTJ结构的外部磁场改变。外部磁场可以由流过...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。