技术编号:6852497
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及减少采用热氧化法的热处理工序,抑制埋入扩散层的扩散扩张,提高高频特性的技术。背景技术 在现有的中具有如下制法,在P型半导体衬底上形成一层N型外延层。此时,在衬底和外延层上形成N型埋入扩散层。然后,在外延层的所希望的区域通过1000度左右的蒸汽氧化(スチ一ム酸化)形成LOCOS(Local Oxidation of Silicon硅的局部氧化)氧化膜。在LOCOS氧化膜上挖出沟槽,并将该沟槽由热氧化膜及多晶硅添埋,作为隔离区域使用(例如参照专利文献...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。