技术编号:6852577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其形成方法,特别涉及具有将电极掩埋在隔离膜中的电容元件的半导体器件及其形成方法。通常,电容元件具有下列结构。附图说明图1是表示具有电容元件的常规半导体器件的部分剖视正视图。在半导体衬底10中形成隔离槽。在隔离槽中形成隔离膜11。在半导体衬底10的上表面上和在隔离槽中的隔离膜11上形成氧化硅膜14。在氧化硅膜14上和隔离膜11上面有选择地形成电容元件的下电极12。在下电极12上形成介质氧化物膜13。在介质氧化物膜13上形成上电极15。下...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。